您是否注意到电源转换效率总比理论值低？可能正是整流桥压降在作祟！作为交流转直流的关键环节，压降问题直接影响着系统能效和稳定性。
什么是整流桥压降
当电流流过整流桥时，内部二极管会产生正向导通压降。这种必然存在的电压损失，就是整流桥压降的物理本质。
每个二极管在导通状态都会形成势垒电压，其大小与半导体材料特性相关。整流桥包含四个二极管组成的电桥结构，电流路径至少经过两个串联二极管。
因此，总压降值通常是单管压降的两倍。这种累积效应在电流较大时尤为显著。
压降产生的关键影响
功率损耗与发热问题
压降直接导致导通损耗：功率损耗=电流×压降。例如10A电流下，即便仅0.5V压降也会产生5W热损耗。
持续的功率损耗引发温升，可能触发热失控循环：温度升高→电阻增大→压降增加→损耗加剧。唯电电子的实验数据显示，温升过高可能使压降增加数个百分点（来源：唯电实验室，2023）。
系统效率制约
在低压大电流场景（如5V电源），压降占比尤为突出。1V压降意味着20%的电压损失，直接拉低整机转换效率。
压降还影响有效输出电压。交流峰值电压必须高于整流桥总压降，否则会出现导通死角，导致输出纹波增大。
动态响应受限
导通瞬间的恢复时间特性与压降存在关联。高恢复时间的器件可能导致电压过冲，在开关电源中引发电磁干扰问题。
降低压降影响的解决方案
器件选型策略
选择低正向压降二极管是根本方案。肖特基整流桥因金属-半导体结特性，通常具有更优的压降表现。
需平衡开关速度与压降参数。唯电电子提供的整流桥方案通过优化芯片结构，在动态性能和静态损耗间取得平衡。
电路设计优化
采用同步整流技术可规避二极管压降问题，用MOSFET替代传统整流管。但需注意驱动电路复杂性增加。
合理设计散热路径至关重要：增加铜箔面积、使用导热垫片、优化风道等，都能有效控制温升引发的压降恶化。
系统级补偿措施
在开关电源设计中，通过反馈环路调整占空比可补偿输出电压损失。但需注意环路稳定性，避免振荡风险。
对于精密电源，可采用前馈补偿技术，根据负载电流动态调整控制参数，维持电压精度。
结语
整流桥压降虽不可避免，但通过科学选型和系统设计可大幅降低其负面影响。理解压降产生机制和热效应关联，是提升电源效率的关键切入点。唯电电子建议工程师在设计阶段就综合考虑压降特性，为系统性能预留优化空间。
